壓力傳感器是能感受壓力信號(hào)，并能按照一定規(guī)律將壓力信號(hào)轉(zhuǎn)換成可用的輸出的電信號(hào)的器件或裝置。任何一種產(chǎn)品都經(jīng)歷了生長(zhǎng)，成長(zhǎng)，壯大  成熟等等幾個(gè)過程，讓安徽春輝集團(tuán)給您詳細(xì)介紹下壓力傳感器的演變發(fā)展歷程四過程！

　　1發(fā)明階段(1945-1960年):這個(gè)階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志。此后,半導(dǎo)體材料的這一特性得到較廣泛應(yīng)用。史密斯(C.S.Smith與1945發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應(yīng),即當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí),其電阻將明顯發(fā)生變化。依據(jù)此原理制成的壓力傳感器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上,即將力信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。此階段最小尺寸大約為1cm

　　2技術(shù)發(fā)展階段(1960-1970年):隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展,技術(shù)人員在硅的001或(110晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片,稱為硅杯[3]這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了金屬-硅共晶體,為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。

　　3商業(yè)化集成加工階段(1970-1980年):硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù),擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主,發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù),主要有V形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽極氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕,數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí)生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式,成本進(jìn)一步降低。